Сегодня - 23.10.2019

В Новосибирске обсуждают физику полупроводников

10 сентября 2019
 
На XIV Российской конференции по физике полупроводников рассматриваются фундаментальные проблемы этой научной отрасли, включая самые современные тренды: квантовые эффекты в полупроводниках, физику систем с экстремальными свойствами, нанофотонику. Один из организаторов мероприятия — Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН — акцентировал внимание научного сообщества и на прикладном аспекте, подготовив выставку своих разработок, нашедших применение в промышленности.
 
«Наша конференция — площадка, на которой идет дискуссия об элементной базе электроники будущего. Многие обсуждаемые вопросы в данный момент имеют только фундаментальные приложения, но их практическое применение — вопрос завтрашнего дня. Например, сейчас активно развиваются связи между электроникой и фотоникой, что вызвано необходимостью обрабатывать большие объемы информации так же быстро, как происходит их передача при помощи оптоволокна. Серия докладов на конференции затрагивает эту проблематику», — отметил директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН академик Александр Васильевич Латышев.
 
В этом году мероприятие собрало 352 участника из Москвы, Санкт-Петербурга, Нижнего Новгорода, Екатеринбурга, Черноголовки, Саранска, Красноярска и Новосибирска. С приглашенным и пленарным докладами выступят профессор университета Сан-Пауло (Бразилия) Геннадий Гусев, профессор Дортмундского университета (Германия) Манфред Байер. 
 
«На конференции широко представлены исследования в области физики полупроводников, которые ведутся в России и в других странах. Надо отметить, что по некоторым направлениям — теории полупроводников, теории конденсированного состояния — работы российских физиков задают вектор развития для мирового научного сообщества. За пальму первенства в нашей стране соревнуются несколько основных научных организаций полупроводниковой тематики, ИФП СО РАН — одна из них. Особенный интерес у специалистов вызывают топологические изоляторы (вещества, являющиеся диэлектриками в объеме, но проводящие ток по поверхности. — Прим. ред.), у них удивительные и очень интересные транспортные свойства. Такие структуры производят только в ИФП СО РАН и в Вюрцбургском университете (Германия)», — прокомментировал ученый секретарь программного комитета конференции ведущий научный сотрудник Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН член-корреспондент РАН Михаил Михайлович Глазов. 
 
По словам исследователя, уровень докладов конференции постоянно растет, а за последние пять лет резко увеличилось количество молодых участников.
 
Организаторами пятидневной научной встречи выступают ИФП СО РАН, Новосибирский государственный университет, Научный совет РАН по физике полупроводников, Отделение физических наук РАН при содействии Министерства науки и высшего образования РФ, Российского фонда фундаментальных исследований, курорта-отеля «Сосновка».
 
Пресс-служба ИФП СО РАН
 
Поделись с друзьями: 
 

comments powered by HyperComments

Система Orphus