Сегодня - 15.08.2020
02.02.2017

Убежать за наносекунду

Наука в сибири
Ученые из Института физики полупроводников имени А.В. Ржанова СО РАН изучили новый тип разряда, применение которого способно увеличить эффективность используемых в различных сферах газовых лазеров. За это исследователи получили премию Правительства Российской Федерации.
20.12.2013

Трое ученых ИНЦ СО РАН стали лауреатами премии Правительства РФ в области науки и техники

COPAH.info
Группа ученых Сибирского отделения РАН награждена премией Правительства РФ за 2012 год в области науки и техники за создание информационно-телекоммуникационной инфраструктуры междисциплинарных научных исследований как основы экономического и социального развития восточных регионов России.

Система Orphus