В Московском государственном университете им. М. В. Ломоносова прошла международная конференция по наноструктурированным материалам «Нано — 2014». В ней приняли участие нобелевские лауреаты, ведущие российские и зарубежные ученые. Организаторами выступили Министерство образования и науки РФ, Правительство Москвы и МГУ.
В работе приняли участие около 1000 специалистов в области химии, физики, механики, биологии из 57 стран. «Организация была построена следующим образом: с утра каждого дня с пленарными лекциями выступали известные исследователи, затем проходила стендовая сессия, а после обеда начиналась работа по тематическим секциям. Всего их было 11», — рассказывает заместитель директора Института физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова член-корреспондент РАН Анатолий Васильевич Двуреченский.
В день открытия конференции пленарный доклад прочел профессор Михаель Гретцель (Швейцария), известный специалист, с именем которого связано развитие солнечной энергетики. Почти 20 лет назад он изобрел солнечные ячейки, получившие его имя, на основе сенсибилизированных (то есть, очень чувствительных) красок. С лекцией, посвященной синтезу и использованию углеродных наноматериалов, выступил профессор Джеймс Тур (США) —ученый-химик, специалист в области молекулярной электроники. Лауреат Нобелевский премии 1996 года, первооткрыватель фуллеренов профессор сэр Гарольд Крото (США) представил презентацию «Углерод в нано и космическом пространстве».
Единственным выступающим с пленарным докладом от России был председатель Сибирского отделения РАН академик Александр Леонидович Асеев, сделавший обзор результатов ИФП СО РАН по теме «Наноструктурированные полупроводники для опто- и наноэлектроники». «На 95% в мою лекцию вошли результаты работ этого института, включая последнюю статью, опубликованную в Nature международной командой, где есть и наши участники. Принято говорить об отсталости российских технологий, но на самом деле, многие результаты действительно высочайшего класса», — отметил Александр Асеев. В частности, речь шла о широком наборе полупроводниковых наноструктур, формируемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии и обладающих высокоточной диагностикой атомного строения гетерограниц, что является базовым материалом для изучения и обнаружения новых явлений и закономерностей в электрических и оптических процессах, а также для разработки нового класса приборов на полупроводниках: излучателей одиночных фотонов, фотоприемников инфракрасного излучения, высокочастотных транзисторов.
Заседание каждой секции также начиналось с приглашенных докладов или лекций, связанных с ее тематикой. За время конференции было представлено 107 таких выступлений, а Сибирское отделение РАН в этом случае представлял Анатолий Двуреченский с сообщением «Наногетероструктуры на основе кремния для нанофотоники и наноэлектроники». «Кремний является материалом «номер один» в производстве микросхем и устройств на их основе: компьютеры, навигационные системы и системы связи, цифровое телевидение, мобильные телефоны, солнечная энергетика. Стремительное развитие полупроводниковых технологий, основанное на востребованности производимых изделий в массовом масштабе, обеспечило устойчивую модернизацию современной кремниевой технологии. Именно поэтому для расширения спектра нужных свойств объекта проводятся работы по сращиванию Si с другими материалами. Наиболее привлекательным является подход, основанный на гетероэпитаксии различных вещей на кремнии. Спектр используемых при этом «дополнений» достаточно широк, начиная от элементарных полупроводников и их соединений и заканчивая твердыми растворами (двойными, тройными и четверными) на основе полупроводниковых материалов», — комментирует Анатолий Двуреченский.
Кроме того, на конференции были представлены устные и стендовые доклады исследователей из ИФП СО РАН, Института неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, Института катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, Института теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН.
Помимо ученых в работе «Нано —2014» приняли участие представители промышленности, бизнеса и издательской индустрии. На выставке приборов и оборудования демонстрировались достижения диагностики наноструктур на основе туннельной и атомно-силовой микроскопии, источников рентгеновского излучения.
Фото: анонс, (1) — Ф. Жимулев, (2) — Ю.Позднякова
