В первых числах августа Томский научный центр СО РАН и, в частности, Институт сильноточной электроники СО РАН посетила делегация, представляющая интересы Миланского политехнического университета и итальянских инновационных компаний. Это стало очередным шагом в развитии сотрудничества двух сторон: ранее, несколько месяцев назад, был подписан меморандум о сотрудничестве между ИСЭ СО РАН и крупнейшим техническим вузом Италии.
— Мы видим хорошие перспективы для развития наших контактов, следующим шагом должно стать приобретение высокотехнологичного электронно-пучкового оборудования для Миланского политехнического университета, — отметил представитель администрации зарубежного вуза профессор Массимилиано Бестетти. — Наш российский партнер — Институт сильноточной электроники СО РАН — является одним из мировых лидеров в этом направлении, что для нас особенно важно, так как сейчас в Италии активно развивается направление, связанное с модификацией поверхностей и модификацией материалов. Нам также интересно ведение работ по этой тематике в кооперации с российскими учеными.
В ближайшее время будет подготовлен контракт, и до февраля 2018 года в Милан будет поставлено оборудование, разработанное и произведенное в ИСЭ СО РАН.
— Это станет первым этапом создания центра пучковых технологий, — отметил заместитель председателя ТНЦ СО РАН по научной работе кандидат физико-математических наук Алексей Марков. — В дальнейшем на его базе международным научным коллективом будут вестись фундаментальные исследования, проходить апробацию новые технологии в интересах различных отраслей промышленности. Томский научный центр СО РАН выступает координатором развития этого проекта, который позволит российским ученым выйти на европейскую арену и найти новые перспективные рынки сбыта.
Нужно отметить, что в течение последних нескольких месяцев активно развивается международное сотрудничество ТНЦ СО РАН не только с Италией, но и с Китаем: подобный же меморандум о сотрудничестве был заключен и с Харбинским инженерным университетом.
Пресс-служба ТНЦ СО РАН
