Перейти к основному содержанию
Сегодня -
Toggle navigation
Основная навигация
Главная
Новости
Наука для общества
Организация науки
Просто о сложном
Мнения
Другие
Фото
Инфографика
Архив
Образование
Блоги
Инфраструктура
Печатная версия
Реклама
Стажировка
Контакты
Подписка
Поиск
ИЗДАНИЕ СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
27
декабря
2022
Традиционная Школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковых наносистем прошла в Новосибирске
Подробнее
18
октября
2022
Первый в мире мультищелочной источник спин-поляризованных электронов создали сибирские физики
Подробнее
06
октября
2022
Нобелевские премии — 2022
Подробнее
29
сентября
2022
В Новосибирске проходит XIV Международная конференция и XIII Школа молодых ученых «Кремний-2022»
Подробнее
13
июля
2022
Сибирские и уральские ученые исследуют свойства материалов для посткремниевой электроники
Подробнее
23
июня
2022
Российские ученые улучшили элементы памяти для гибкой электроники
Подробнее
16
июня
2022
Чувствительные сенсоры станут дольше выживать в биожидкостях
Подробнее
01
июня
2022
Глава РАН отметил достижения сибирских ученых
Подробнее
26
апреля
2022
В Сибири созданы фотодиоды, применимые в телекоммуникационных системах нового поколения
Подробнее
22
апреля
2022
Коллектив белорусских и сибирских ученых стал лауреатом премии имени В. А. Коптюга
Подробнее
Нумерация страниц
Текущая страница
1
Page
2
Page
3
Page
4
Page
5
…
Следующая страница
Далее ›
Последняя страница
Последняя »
Подписаться на Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Наши партнеры